很多人不理解，说搞产业化，有必要如此重视基础研究吗?而在我看来，产业化阶段的技术水平，恰恰是基础研究阶段积累的体现。
作为新兴的战略先导产业，碳化硅是制造高温、高频、大功率半导体器件的理想衬底材料，也是发展第三代半导体产业的关键基础材料。
法国咨询机构Yole公司的报告显示，2012年到2015年，全球碳化硅市场年均增长率将不低于30%，2015年后全球市场将会出现爆发式增长。
北京天科合达蓝光半导体有限公司作为国内首家同时也是规模最大的碳化硅单晶产品的制造及供应商，拥有近300家客户。记者日前在采访中发现，2006年公司成立以来，面对碳化硅制备过程中的诸多技术难题以及国外的技术封锁，天科合达不仅通过自身努力缩小了与国外的技术差距，还走出了一条值得借鉴的自主创新和产业化之路。
在半导体材料领域，一般将硅、锗等材料称为第一代半导体材料，将砷化镓、磷化铟等材料称为第二代半导体材料，而以碳化硅为代表的宽禁带半导体材料则被称为第三代半导体材料。如今，碳化硅已成为全球半导体产业的前沿和制高点，拥有广阔的应用前景。
首先是高亮度发光二极管(LED)。中科院物理所研究员、天科合达技术发明人陈小龙告诉记者，由于碳化硅的热导率高、晶格匹配性好，因此适用于制备大功率、高亮度的LED。
据陈小龙介绍，目前市场上蓝宝石基的LED发光效率可以达到120流明/瓦，而使用碳化硅的LED则能得到200流明/瓦，正处于实验室研发阶段的碳化硅基产品则已经达到300流明/瓦。这种大功率、高亮度的LED，在汽车前大灯、道路照明等领域均有重要的应用价值。
这一点从碳化硅行业的龙头企业——美国科锐(Cree)公司的收入上可见一斑。2013年，科锐公司LED产品的营收为8亿美元，产品毛利为3.45亿美元，毛利润达43%。
除了高亮度LED，碳化硅还是制造电力电子器件的理想耐火材料。陈小龙告诉记者，碳化硅具有耐高电压、耐高温和节能等特点。同时，使用碳化硅的电力电子器件，体积可以做得非常小。因此，在新能源汽车、太阳能发电、机车牵引以及大功率输配电等领域，都将发挥重要作用。
据陈小龙介绍，碳化硅还是射频微波器件的理想衬底材料，可以提高雷达、通信、电子对抗以及智能武器等的整体性能和可靠性。此外，碳化硅还可以用于制作人工宝石，而通过碳化硅外延生长制备石墨烯的技术也吸引了不少研究者的注意。
据预测，到2019年，全球碳化硅单晶炉数量将超过3000台，碳化硅衬底产量将超过200万片，市场规模将达到20亿美元，外延材料市场规模约10亿美元。同时，碳化硅的发展还将带动上游单晶设备、外延设备产业和下游的器件以及模块等相关产业发展，规模将达数百亿美元。
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